氢钝化：钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采纳离子注入或等离子体处理。在晶体硅太阳电池表面采纳PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对晶体硅电池可产生氢钝化的效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。

　　丝网印刷原理：丝网印刷是把带有图像或图案的模版被附着在丝网上进行印刷的。通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成。丝网印刷实际上是利用浆料进行印刷制作电极。

　　烧结目的：干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

　　1．于铝浆烧结，银浆的烧结要重要许多，对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和并联电阻，即FF的变化。

　　非晶体硅光电池有铜铟硒光电池、硫化镉光电池、砷化镓光电池、磷化铟光电池和纳米晶太阳能电池。

　　2对硅片的表面进行凹凸面(金字塔绒面）处理,增加光在太阳电池片表面的折射次数,利于太阳电池片对光的汲取,以达到电池片对太阳能价值的最大利用率。

　　1．氢氟酸能够溶解二氧化硅是由于氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。

　　2．若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。

　　2．生成的P2O5在集中温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：

　　3由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，假如没有外来的氧（O2）参加其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的状况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）。

　　本设备的工艺气体为SiH4和NH3，二者均有毒，且SiH4易燃易爆。本设备运行时会产生微波辐射，每次维护后和停机一段时间再开机前都要检测微波是否泄漏。

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　　2．烧结的目的使浆料中的有机溶剂完全挥发，并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的不均和散热不均可能会导致起包，严峻的会起铝珠。

　　3．背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为P型掺杂，它可以削减金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应。

　　2．其次，这些活性粒子由于集中或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。

　　3．生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。

　　去磷硅玻璃目的：集中工艺会在在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃（PSG）。它会阻挡光汲取，同时又是绝缘的。工艺上采纳HF酸腐蚀，所以也称为去PSG。

　　HCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与溶解片子表面可能沾污的杂质，铝、镁等活泼金属及其它氧化物。但不能溶解铜、银、金等不活泼的金属以及二氧化硅等难溶物质。

　　平安提示：NaOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会损害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要根据规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂损害了员工的身体，立刻用纯水冲洗30分钟，送医院就医。

　　制绒的目的：削减光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。

　　利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 ，就称为表面织构化。角锥体四周全是由〈111〉面包围形成。

　　集中的目的：在p型晶体硅上进行N型集中，形成PN结，它是半导体器件工作的心脏；

　　1． POCl3在高温下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：

　　4．生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷集中时，为了促使POCl3充分的分解和避开PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必需在通氮气的同时通入肯定流量的氧气 。

　　6． POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层含P2O5的SIO2（磷硅玻璃），然后磷原子再向硅中进行集中 。

　　PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很简单发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

　　减反射目的：通过调整薄膜厚度及折射率，使得两次反射产生相消干涉，即光程差为1/2波长，薄膜的厚度应当是1/4波长的光程。

　　PECVD的种类：直接式基片位于一个电极上，直接接触等离子体（低频放电10-500kHz或高频13.56MHz）

　　是指当半导体受到光照耀时，半导体内部就会产生电流或电动势的现象。当电池表面受到光照耀时，在电池内部产生的光生电子-空穴对，集中到P-N结并受结电场影响而分开，电子移向N区，空穴移向P区，这样在P区和N区时间产生了光生电动势，当外路连接起来时就有电流通过。

　　即等离子增加型化学气相沉积，是一种化学气相沉积，其它的有HWCVD，LPCVD，MOCVD等。

　　平安操作：全部的石英器具都必需轻拿轻放。源瓶更换的标准操作过程。依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。

　　等离子体刻蚀是采纳高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子集中到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。