专利摘要显示，本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括硅片以及位于硅片背面的钝化接触结构；钝化接触结构包括在远离硅片背面的方向依次设置的第一氧化层、第一掺杂多晶硅层、第二氧化层和第二掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层、第二氧化层和第二掺杂多晶硅层分别包括位于第一区域的部分和位于第二区域的部分，第一区域为与背面电极对应的区域，第二区域为除背面电极对应区域以外的其余区域；第一掺杂多晶硅层位于第一区域的部分的元素掺杂浓度高于第一掺杂多晶硅层位于第二区域的部分的元素掺杂浓度。上述太阳能电池的钝化接触结构可有效降低金属和非金属区域的复合，还可减少多晶硅层对光的寄生吸收问题，有利于提升电池对光的利用率。华体会体育