太阳能光伏三)、硅太阳能电池的结构及工作原理基本材料为 P 型单晶硅, 厚度为 — 左右。上表面为 N+ 型区, 构成一个 PN +结。顶区表面有栅状金属电极,硅片背面为金属底电极。上下电极分别与 N +区和 P 区形成欧姆接触, 整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。当入发射光照在电池表面时, 光子穿过减反射膜进入硅中, 能量大于硅禁带宽度的光子在 N+ 区, PN +结空间电荷区和 P 区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区, 就对发光电压作出贡献。光生电子留于 N +区,光生空穴留于 P区, 在 PN +结的两侧形成正负电荷的积累,产生光生电压,此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后, 光电池就从 P 区经负载流至 N +区, 负载中就有功率输出。太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光(或紫外光)敏感,约占总光源电流的 5- 10 %(随 N +区厚度而变), PN +结空间电荷的光生电流对可见光敏感,约占 5 %左右。电池基体区域产生的光电流对红外光敏感,占 80- 90%, 是光生电流的主要组成部分。(四)、太阳能电池的制造技术提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。具体的制造工艺技术说明如下: (1) 切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。(2) 清洗: 用常规的硅片清洗方法清洗, 然后用酸( 或碱) 溶液将硅片表面切割损伤层除去 30- 50um 。(3) 制备绒面: 用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。(4) 磷扩散: 采用涂布源( 或液态源, 或固态氮化磷片状源) 进行扩散,制成 PN +结,结深一般为 - 。(5) 周边刻蚀: 扩散时在硅片周边表面形成的扩散层, 会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6) 去除背面 PN +结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面 PN +结。(7) 制作上下电极: 用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。(8) 制作减反射膜: 为了减少入反射损失,华体会体育 要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有 MgF2 , SiO2 , Al2O3 , SiO , Si3N4 , TiO2 , Ta2O5 等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法, 溅射法、印刷法、 PECVD 法或喷涂法等。(9) 烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。( 10 )测试分档:按规定参数规范,测试分类。七)、提高太阳能电池效率的特殊技术: 晶体硅太阳能电池的理论效率为 25 %( 光谱条件下)。太阳能电池的理论效率与入射光能转变成电流之前的各种可